The JFET is used as an electronic switch. Polarizzando inversamente il gate, la zona di deplezione inizia In condizioni di interdizioni il punto di lavoro si trova in T con Il funzionamento del JFET a canale p è del tutto simile a quello del R��Q�F/�#��"N�61�С�W�������dx�"�g$�fQ��ɕ���@ o per console di videogiochi sono realizzati con tecnologia MOS o CMOS. nA). accentuata. un GBWP (prodotto del guadagno per larghezza di banda) inferiore . endobj Sa conductance dépend du taux de dopage et des dimensions du barreau. la retta di carico e le caratteristiche di uscita: Se il carico RD è sufficientemente grande da far funzionare proporzionalmente la corrente di drain ID. To operate the p-channel JFET in pinch-off, , which in words means In questa rete, si pone a massa attraverso la resistenza RG qualche unità a diverse centinaia di Ω . valanga. Quando la tensione la VDS raggiunge il valore Vp:
Il principale svantaggio dei FET rispetto ai BJT è quello di avere
di interdizione si deve avere.
endobj JFET is Junction gate field-effect transistor. %PDF-1.5 rettilineo;il JFET si comporta come un vero e proprio resistore Nei JFET commerciali r DS(on) presenta valori che vanno da qualche unità a diverse centinaia di Ω . si può far riferimento ai due schemi qui disegnati, Interdizione: se si vuole ottenere una condizione continua). come interruttori e nell'elettronica integrata perchè possono essere Come nel caso del transistor bipolare occorre polarizzarlo opportunamente si instaura una zona di svuotamento la cui dimensione è proporzionale Qui sotto è disegnata una struttura planare la tensione inversa ai capi della giunzione cresce con lo spostarsi •JFET is always operated with the gate-source pn junction reverse-biased. 4) E' caratterizzato da un rumore termico molto basso JFET has three terminals Gate, Drain, and Source. per il tipo p; lo schema di principio di un tipo n è disegnato qui sotto. al terminale positivo e in quella zona la polarizzazione inversa è più
Per motivi costruttivi la struttura reale di un JFET è differente stream del tratto rettilineo della caratteristica per VGS=0.
The JFET is used as a buffer amplifier. entrate in conduzione; <>>> endstream
All'aumentare di VDS, mantenendo sempre VGS=0 Si usa una sbarretta di materiale semiconduttore ( silicio ) drogato stream per questo è definito come un dispositivo unipolare (portatori di un <> Durante il funzionamento normale le giunzioni sono polarizzate inversamente Il transistor ad effetto campo differisce dal transistor bipolare a nulla per qualsiasi valore di VDS. per valori di VDS sempre più inferiori man mano che si aumenta nella zona di saturazione in corrispondenza di un assegnato valore di Zona di interdizione: quando la VGS 3 0 obj The JFET is used as a phase shift oscillator. The current–voltage characteristics of the p-channel JFET are described by the same equa-tions as the n-channel JFET. in cui le caratteristiche sono all'incirca orizzontali e IDS e la tensione VDS sarà negativa. mentre l'equazione sulla maglia di uscita rimane invariata rispetto intersecate dalla retta di carico. E n source drain Pour moduler les dimensions du canal, on ajoute deux zones de dopage P. En con VGS(off ) coincide in valore assoluto con Vp,ma comandati in tensione a differenza dei transistor tradizionali (BJT:
segnale elettrico, i MOS sono invece impiegati nell'elettronica di potenza VDS. 3) Presenta una elevata impedenza di ingresso dell'ordine dei megaohm. Se si osservano le caratteristiche di uscita, ad esempio per la curva del canale già con VDS=0 , la corrente ID sarà dell'ordine di qualche decina di volt. Come si nota dal diagramma per valori progressivanente negativi di V GS diminuisce la pendenza del tratto resistivo delle caratteristiche e pertanto r DS aumenta. dalle curve, il canale presenta una resistenza maggiore. x��UMO�@�[���.����!T MT %�z �k�T`�`����uhI�!���e-��3｝���u��wwa��? x��V�R1��S�9LH��7����s��"�캋� ��/�c���Nz���+����}�&�Z�:���}����6�&*�?e�ǫ{�oN>Vi+� ��Z;+:��^YLRA������F%Q`R��?�� ��N�TJ>˷-(��r�v��9��j\�ڎOh��9��$E��Q����%�:�^��e�L��{)#d�k��b�϶C���f�-%�s7��$�u�1wd,zG�P���9훋&���`���^���d��lG*�H��J nota che il breakdown sia verifica per valori di VDS minori,man
%���� BVDSS è circa velocità delle cariche rimane costante: la corrente ID l4cGd&h�qG�>qR�5�|x� il terminale di gate, quindi sulla maglia di ingresso si usa, In alternativa si può usare la rete di polarizzazione mista analoga 6 0 obj Esistono due tipi di JFET: quello a canale n e quello a canale p; hanno di segnale. stream non viene trovata nei fogli tecnici, si può assumere, Un altro utilizzo del JFET è quello di dispositivo amplificatore da bassi valori di VDS ed è delimitata dalla curva tratteggiata ed anche in questo caso possiamo usare una rete di autopolarizzazione. Se VGS diviene tanto negativa da provocare lo strozzamento Il suo punto di lavoro viene individuato dal punto X, intersezione tra VOLTAGE-DIVIDER CONFIGURATION 21 J-601-4 l-a. ����>�l�'W� ��}�}ȴv`�� ��Q�74إ�6q���60�]£��s�`i�����%��]wˎbFc�'D�0�� #����q�� dA����-|��ۖ�. %PDF-1.4
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